삼성전자, 연내 '6세대 10나노' D램 양산 계획

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[출처]https://n.news.naver.com/mnews/article/001/0014609017

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'멤콘 2024'서 로드맵 제시…"2026년께 10나노급 7세대 제품 양산"

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삼성전자, 12나노급 32Gb DDR5 D램

[삼성전자 제공. 재판매 및 DB 금지]

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(서울=연합뉴스) 김아람 기자 = 삼성전자가 올해 말 차세대 D램인 6세대 10나노미터(㎚·10억분의 1m)급 D램 양산을 시작할 예정이다.

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3일 업계에 따르면 삼성전자는 지난달 미국 캘리포니아주 마운틴뷰에서 열린 글로벌 반도체 학회 '멤콘(MemCon) 2024'에서 이 같은 계획이 담긴 로드맵을 발표했다.

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6세대 10나노급 D램의 구체적인 양산 일정을 제시한 회사는 삼성전자가 처음이다.

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삼성전자는 2020년 10나노급 1세대 D램에 업계 최초로 적용한 극자외선(EUV) 공정을 고도화해 초미세 회로를 제작, 제품을 양산할 계획이다.

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경계현 삼성전자 디바이스솔루션(DS) 부문장도 지난달 주주총회에서 올해 사업전략을 발표하면서 "D1c(6세대 10나노급) D램, 9세대 V낸드 같은 신공정을 최고의 경쟁력으로 개발해 업계를 선도하겠다"고 밝힌 바 있다.

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앞서 삼성전자는 작년 5월에 업계 최소 선폭 공정으로 5세대 10나노급 16기가비트(Gb) DDR5 D램 양산에 들어갔다.

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또 삼성전자는 이번 멤콘에서 10나노급 7세대 제품을 2026년께 양산하고, 2027년 이후에는 한 자릿수 나노 공정을 통한 D램 생산에 도전하겠다는 계획도 밝혔다.